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關(guān)于鴻日達(dá)科技股份有限公司與廣州大學(xué)成果轉(zhuǎn)化及校企合作簽約儀式順利召開的通告

日期:2024-09-09 作者: 瀏覽量:1033

近日,鴻日達(dá)科技股份有限公司與廣州大學(xué)成果轉(zhuǎn)化及校企合作的簽約儀式在公司所在地昆山順利舉行,廣州大學(xué)向建化教授及其團(tuán)隊(duì)、公司董事長(zhǎng)王玉田先生、半導(dǎo)體事業(yè)部負(fù)責(zé)人萬敏陽先生等出席簽約儀式。公司與廣州大學(xué)的本次簽約旨在共同推動(dòng)雙方在技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)及相關(guān)技術(shù)成果在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化等多維度的長(zhǎng)期深度合作。

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在本次簽約儀式上,董事長(zhǎng)王玉田先生代表公司對(duì)向建化教授團(tuán)隊(duì)的來訪表示了熱烈歡迎,并介紹了公司近年的經(jīng)營(yíng)發(fā)展情況、未來戰(zhàn)略規(guī)劃,以及公司在產(chǎn)品研發(fā)創(chuàng)新、校企合作、人才培養(yǎng)等方面取得的成績(jī)。公司半導(dǎo)體事業(yè)部負(fù)責(zé)人萬敏陽先生分享了公司目前在半導(dǎo)體金屬散熱片產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域、新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度、以及行業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì),并著重強(qiáng)調(diào)了向建化教授團(tuán)隊(duì)在熱二極管散熱、單向傳熱等領(lǐng)域的研究工作,將為提升半導(dǎo)體芯片散熱效率提供新的技術(shù)發(fā)展方向。

熱管因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、傳熱效率高、無運(yùn)動(dòng)部件而廣泛應(yīng)用于電子芯片散熱、航天器溫控以及工業(yè)領(lǐng)域的熱管理解決方案中。國(guó)內(nèi)外對(duì)熱管技術(shù)的研究可追溯至美國(guó)20世紀(jì)50年代率先應(yīng)用于航天器的溫控系統(tǒng),此后在高性能計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心以及筆記本電腦的應(yīng)用越來越廣泛。近年來,隨著電子芯片集成度和性能的提高以及電子產(chǎn)品小型化發(fā)展趨勢(shì),其熱管理問題已經(jīng)成為阻礙芯片進(jìn)一步發(fā)展的障礙,科研機(jī)構(gòu)和相關(guān)企業(yè)在熱管材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面進(jìn)行了深入的研究,特別是在高端AI算力、5G通信設(shè)備和新能源領(lǐng)域,新技術(shù)已展現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)潛力和應(yīng)用前景。

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廣州大學(xué)向建化教授團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期致力于復(fù)合吸液芯微結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、制造和集成封裝應(yīng)用等領(lǐng)域的研究工作。通過自主研發(fā)的關(guān)鍵設(shè)備提升了微熱管的極限制造精度,從而顯著提高其在極端環(huán)境中的適用性。團(tuán)隊(duì)已申請(qǐng)發(fā)明專利50多項(xiàng),已授權(quán)20余項(xiàng),涵蓋了高性能復(fù)合吸液芯熱管的器件結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)工藝及加工設(shè)備等多個(gè)環(huán)節(jié),構(gòu)建出了一個(gè)完整的專利池,相關(guān)技術(shù)有效助力企業(yè)解決高性能芯片的散熱難題。

近年來,該團(tuán)隊(duì)在相變熱二極管方向進(jìn)行深入研究,發(fā)表了多篇論文并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專利,在熱二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和定向傳熱理論方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)。此次由向建化教授團(tuán)隊(duì)完成的8項(xiàng)熱二極管相關(guān)專利的轉(zhuǎn)讓可為公司高性能半導(dǎo)體芯片定向熱控制的突破提供有力的技術(shù)保障。隨著AI技術(shù)的發(fā)展,芯片的發(fā)熱量呈逐步增長(zhǎng)的趨勢(shì),鴻日達(dá)聯(lián)合該團(tuán)隊(duì)研究的高性能復(fù)合吸液芯微結(jié)構(gòu)以及定向傳熱專利,結(jié)合傳統(tǒng)的VC LID的制造結(jié)構(gòu),研發(fā)了單向?qū)岬腣C LID可實(shí)現(xiàn)熱量的單向傳遞避免熱回流從而保護(hù)電子芯片的熱失效,相比傳統(tǒng)的LID可提高10倍左右的效能。目前該專利技術(shù)的成功轉(zhuǎn)讓將推動(dòng)更多創(chuàng)新成果的落地應(yīng)用,并為半導(dǎo)體芯片行業(yè)的發(fā)展注入新動(dòng)力。

未來,公司與廣州大學(xué)雙方將持續(xù)深化合作,共同研發(fā)創(chuàng)新并推動(dòng)成果轉(zhuǎn)化,為解決半導(dǎo)體芯片散熱問題添磚加瓦。